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　　半導體深紫外光源在照明、殺菌、醫(yī)療、印刷、生化檢測、高密度的信息儲存和保密通訊等領域具有重大應用價值。以AlGaN材料為有源區(qū)的深紫外LED的發(fā)光波長能夠覆蓋210-365nm的紫外波段，是實現(xiàn)該波段深紫外LED器件產品的理想材料，具有其它傳統(tǒng)紫外光源無法比擬的優(yōu)勢。 “十一五”863計劃新材料技術領域重大項目“半導體照明工程”課題“深紫外LED 制備和應用技術研究”經過持續(xù)攻關，在高鋁組分材料研究和器件應用方面取得重要突破。 在此基礎上，課題在國內首次成功制備了300nm以下的深紫外LED器件，實現(xiàn)了器件的毫瓦級功率輸出，開發(fā)了深紫外殺菌模塊，經測試殺菌率達到95%以上?！　≡?63計劃支持下，課題研究團隊集中開展了基于MOCVD的深紫外LED材料和器件研究工作，著重解決材料存在的表面裂紋、晶體質量差、鋁組分低、無法實現(xiàn)短波長發(fā)光和結構材料設計等問題，在一些關鍵技術方面取得了突破，獲得了高結晶質量無裂紋的高鋁組分材料。